登入帳戶　 |　訂單查詢　 |　購物車/收銀台(0)　|　在線留言板　 |　付款方式　 |　運費計算　 |　聯絡我們　 |　幫助中心　|　 加入書簽
會員登入 新用戶登記
HOME新書上架暢銷書架好書推介特價區會員書架精選月讀2023年度TOP分類瀏覽雜誌 臺灣用戶
品種：超過100萬種各類書籍/音像和精品，正品正價，放心網購，悭钱省心 服務：香港／台灣／澳門／海外 送貨：速遞／郵局／服務站

新書上架：簡體書 繁體書
暢銷書架：簡體書 繁體書
好書推介：簡體書 繁體書

十月出版：大陸書 台灣書
九月出版：大陸書 台灣書
八月出版：大陸書 台灣書
七月出版：大陸書 台灣書
六月出版：大陸書 台灣書
五月出版：大陸書 台灣書
四月出版：大陸書 台灣書
三月出版：大陸書 台灣書
二月出版：大陸書 台灣書
一月出版：大陸書 台灣書
12月出版：大陸書 台灣書
11月出版：大陸書 台灣書
十月出版：大陸書 台灣書
九月出版：大陸書 台灣書
八月出版：大陸書 台灣書

『簡體書』半导体物理与测试分析

書城自編碼： 1974792
分類：簡體書→大陸圖書→工業技術→電子/通信
作者： 谭昌龙
國際書號(ISBN)： 9787560336480
出版社： 哈尔滨工业大学出版社
出版日期： 2012-08-01
版次： 1 印次： 1
頁數/字數： 152/220000
書度/開本： 16开 釘裝： 平装

售價：HK$ 59.0

我要買 件

share:

** 我創建的書架 **
未登入.

新書推薦：
突破不可能：用特工思维提升领导力
《 突破不可能：用特工思维提升领导力 》
售價：HK$ 79.4
王阳明大传：知行合一的心学智慧（精装典藏版）
《 王阳明大传：知行合一的心学智慧（精装典藏版） 》
售價：HK$ 227.7
失衡与重塑——百年变局下的中国与世界经济
《 失衡与重塑——百年变局下的中国与世界经济 》
售價：HK$ 135.7
不被定义的年龄：积极年龄观让我们更快乐、健康、长寿
《 不被定义的年龄：积极年龄观让我们更快乐、健康、长寿 》
售價：HK$ 79.4
南方谈话：邓小平在1992
《 南方谈话：邓小平在1992 》
售價：HK$ 82.8
纷纭万端 ： 近代中国的思想与社会
《 纷纭万端 ： 近代中国的思想与社会 》
售價：HK$ 109.8
中国古代文体形态研究（第四版）（中华当代学术著作辑要）
《 中国古代文体形态研究（第四版）（中华当代学术著作辑要） 》
售價：HK$ 172.5
朋党之争与北宋政治·大学问
《 朋党之争与北宋政治·大学问 》
售價：HK$ 102.4

 
建議一齊購買：

+

HK$ 183.2
《HFSS射频仿真设计实例大全》		 +

HK$ 150.8
《激光原理（第7版）》		 +

HK$ 209.4
《模拟CMOS集成电路设计（英文版）》		 +

HK$ 119.3
《电子电气工程师必知必会（第3版）》		 +

HK$ 119.3
《零起点学开关电源设计——基础篇》
內容簡介：
《电子与通信工程系列：半导体物理与测试分析》较全面地介绍了半导体物理与测试分析的基础知识。主要内容包括：半导体的基本性质；半导体中杂质和缺陷能级，以及硅中位错和层错的观察；平衡态半导体中载流子的统计分布，杂质浓度及其分布的测量技术；载流子在外电场作用下的运动规律，以及霍尔系数和电导率的测量方法；非平衡载流子的运动规律及它们的产生和复合机制，少数载流子寿命的测量；pn结形成的工艺过程及其电学特性，pn结势垒电容的测量。
《电子与通信工程系列：半导体物理与测试分析》可作为高等学校微电子学、电子科学与技术、应用物理等专业本科生的教材，也可供理工类相关专业的本科生、研究生及科技人员参考。
目錄：
第1章 半导体的基本性质
1.1 半导体特征与晶体结构
1.1.1 半导体
1.1.2 半导体材料的基本特性
1.1.3 半导体的晶体结构
1.1.4 化合物半导体的极性
1.2 半导体的能带
1.2.1 原子的能级和晶体的能带
1.2.2 半导体中电子的状态和能带
1.3 半导体中电子的运动
1.4 典型半导体的能带结构
1.4.1 硅和锗的能带结构
1.4.2 砷化镓的能带结构
1.5 半导体材料简介
1.5.1 元素半导体
1.5.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
1.5.3 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体
1.5.4 Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体
1.5.5 Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体
1.5.6 氧化物半导体
1.5.7 多元化合物半导体
第2章 半导体中杂质和缺陷能级
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
2.1.1 间隙式杂质和替位式杂质
2.1.2 施主杂质和施主能级
2.1.3 受主杂质和受主能级
2.1.4 杂质的补偿作用
2.1.5 深能级杂质
2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级
2.3 缺陷和位错能级
2.3.1 缺陷
2.3.2 位错
2.4 硅单晶中位错、层错的观察
2.4.1 位错
2.4.2 层错
2.4.3 位错和层错的观察
第3章 平衡态半导体中载流子的统计分布
3.1 费米能级及载流子的统计分布
3.1.1 费米分布函数
3.1.2 玻耳兹曼分布函数
3.1.3 半导体载流子统计分布
3.1.4 半导体载流子浓度
3.1.5 载流子浓度乘积
3.2 本征半导体的载流子浓度
3.3 杂质半导体的载流子浓度
3.3.1 杂质能级上的量子态
3.3.2 载流子浓度
3.3.3 多数载流子浓度与少数载流子浓度
3.4 费米能级随温度的变化关系
3.4.1 杂质半导体载流子浓度与温度的关系
3.4.2 杂质半导体费米能级与温度及杂质浓度的关系
3.5 简并半导体
3.5.1 筒并半导体中载流子浓度
3.5.2 简并化的条件
3.5.3 禁带变窄效应
3.6 杂质浓度及其分布的测量
第4章 半导体的导电性
4.1 载流子的运动
4.1.1 欧姆定律
4.1.2 漂移运动和迁移率
4.1.3 电导率和迁移率
4.1.4 载流子散射
4.1.5 半导体的主要散射机构
4.1.6 其他因素引起的散射
4.2 杂质浓度、温度对迁移率和电阻率的影响
4.2.1 平均自由时间和散射几率的关系
4.2.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系
……
第5章 非平衡载流子运动规律
第6章 pn结
参考文献

 

 

書城介紹　 |　合作申請　|　索要書目　 |　新手入門　|　聯絡方式　 |　幫助中心　|　找書說明　 |　送貨方式　|　付款方式 香港用户　 |　台灣用户　|　大陸用户　|　海外用户
megBook.com.hk
Copyright © 2013 - 2024 （香港）大書城有限公司　 All Rights Reserved.