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| 內容簡介： |
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本书较全面地介绍微电子技术领域的基础知识，涵盖了半导体基础理论、集成电路设计方法及制造工艺等。全书共6章，主要内容包括：绪论、半导体物理基础、半导体器件物理基础、大规模集成电路基础、集成电路制造工艺、集成电路工艺仿真等。全书内容丰富翔实、理论分析全面透彻、概念讲解深入浅出，各章末尾均列有习题和参考文献。本书提供配套的电子课件PPT、习题参考答案等。本书可作为高等学校非微电子专业的工科电子信息类专业学生的教材，也可供相关领域的工程技术人员学习、参考。
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| 關於作者： |
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徐金甫，博士，信息工程大学教授，微电子学与固体电子学硕士研究生导师。长期从事专用集成电路设计方面的教学和科研工作。
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| 目錄：
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目 录第1章 绪论11.1 微电子学和集成电路11.2 集成电路的发展简史21.2.1 第一个晶体管的发明21.2.2 第一块集成电路31.2.3 集成电路蓬勃发展41.2.4 集成电路的发展特点和规律51.3 集成电路的分类71.3.1 按器件结构类型分类71.3.2 按集成电路规模分类81.3.3 按电路功能分类91.4 集成电路设计制造流程和产业构成101.5 微电子学的发展方向111.5.1 后CMOS纳米器件的发展121.5.2 新一代半导体材料131.5.3 微型传感器141.5.4 超越摩尔定律14习题115参考文献15第2章 半导体物理基础162.1 固体晶格结构162.1.1 半导体材料162.1.2 固体类型172.1.3 空间晶格结构182.1.4 原子价键192.2 固体量子理论初步202.2.1 量子态202.2.2 能级212.2.3 能带理论222.2.4 导体、半导体、绝缘体的能带242.3 半导体的掺杂242.3.1 半导体中的载流子252.3.2 本征半导体262.3.3 杂质半导体及其杂质能级262.3.4 杂质的补偿作用292.4 半导体中载流子的统计分布302.4.1 状态密度302.4.2 热平衡和费米分布函数312.4.3 电子和空穴的平衡分布332.4.4 本征半导体的载流子浓度352.4.5 杂质半导体的载流子浓度362.5 载流子的漂移与半导体的导电性402.5.1 载流子的热运动402.5.2 载流子的漂移运动和迁移率412.5.3 迁移率和半导体的导电性422.5.4 载流子的散射432.5.5 影响迁移率的主要因素442.5.6 电阻率与掺杂浓度、温度的关系462.6 非平衡载流子482.6.1 非平衡载流子的产生与复合482.6.2 准费米能级502.6.3 载流子的扩散运动512.6.4 爱因斯坦关系式532.6.5 连续性方程54习题255参考文献57第3章 半导体器件物理基础583.1 PN结583.1.1 PN结的形成583.1.2 平衡PN结593.1.3 PN结的正向特性653.1.4 PN结的反向特性683.1.5 PN结的击穿特性703.1.6 PN结的电容效应723.1.7 PN结的开关特性743.2 双极型晶体管753.2.1 双极型晶体管的基本结构763.2.2 双极型晶体管的电流放大原理773.2.3 双极型晶体管的直流特性曲线833.2.4 双极型晶体管的反向电流和击穿特性863.2.5 双极型晶体管的频率特性883.2.6 双极型晶体管的开关特性893.3 MOS场效应晶体管923.3.1 MOS场效应晶体管的基本结构923.3.2 MIS结构943.3.3 MOS场效应晶体管的直流特性973.3.4 MOS场效应晶体管的交流特性1023.3.5 MOS场效应晶体管的种类1063.4 集成电路中的器件结构1083.4.1 电学隔离1083.4.2 二极管的结构1093.4.3 双极型晶体管的结构1103.4.4 MOS场效应晶体管的结构111习题3112参考文献113第4章 大规模集成电路基础1144.1 CMOS反相器1144.1.1 直流特性1144.1.2 开关特性1154.1.3 功耗特性1164.1.4 CMOS反相器的版图1184.1.5 基于FinFET结构的反相器1194.2 CMOS逻辑门1214.2.1 CMOS与非门和或非门1214.2.2 等效反相器设计1234.2.3 其他CMOS逻辑门1234.3 MOS晶体管开关逻辑1294.3.1 数据选择器（MUX）1294.3.2 多路转换开关1304.4 典型CMOS时序逻辑电路1314.4.1 RS锁存器1314.4.2 D锁存器和边沿触发器1324.4.3 施密特触发器1344.5 存储器1354.5.1 只读存储器（ROM）1364.5.2 静态随机存储器（SRAM）1384.5.3 快闪电擦除可编程只读存储器140习题4141参考文献141第5章 集成电路制造工艺1425.1 平面硅工艺的基本流程1425.1.1 集成电路工艺分类1425.1.2 CMOS集成电路工艺发展历史1435.1.3 集成电路制造的工艺流程1455.1.4 集成电路制造的工序分类1495.2 硅晶圆的制备1495.2.1 硅晶圆制备的基本过程1505.2.2 多晶硅的制备1505.2.3 单晶硅的制备1515.2.4 单晶硅的后处理1525.3 氧化1555.3.1 SiO2的结构和参数1555.3.2 SiO2在集成电路中的应用1565.3.3 热氧化前清洗1575.3.4 热氧化方法1575.3.5 氧化薄膜的质量检测1595.3.6 其他热处理过程1605.4 光刻1615.4.1 光刻的基本要求1615.4.2 光刻的基本流程1625.4.3 刻蚀工艺1645.4.4 光刻胶1665.4.5 曝光方式1665.4.6 超细线条光刻技术1675.5 掺杂1695.5.1 扩散的基本原理1695.5.2 扩散的主要方法1705.5.3 离子注入技术1715.5.4 离子注入设备1725.5.5 离子注入后的退火过程1745.6 金属化1745.6.1 金属材料1745.6.2 金属的淀积工艺1755.6.3 大马士革工艺1775.6.4 金属硅化物及复合栅1785.6.5 多层互连结构1795.7 集成电路封装1795.7.1 减薄与划片1795.7.2 IC封装概述1805.7.3 一级封装1815.7.4 二级封装1825.7.5 先进封装技术介绍183习题5186参考文献186第6章 集成电路工艺仿真1886.1 TCAD软件简介1886.1.1 TCAD仿真原理1886.1.2 Silvaco TCAD简介1896.1.3 TCAD软件的发展方向1916.2 单步工艺的仿真实现1926.2.1 干法氧化工艺的仿真1926.2.2 离子注入工艺的仿真1956.3 NMOS器件工艺仿真及器件特性分析1976.3.1 NMOS器件工艺仿真1976.3.2 NMOS器件电学特性仿真205习题6208参考文献208
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