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| 編輯推薦： |
电子材料与器件（第四版）可作为电子材料和器件课程的教材，也适用于电气工程和电子材料类专业研究生的入门课程。第四版是在第三版的基础上，参考了大量的反馈意见以及电子与光电子材料过去10年发展进程，广泛修订和扩展而成。扩展了许多新的主题，增加了新的案例、图表和思考题，并提供了解决问题的方法，将这些概念应用到应用中。此外，术语表中增加了更多的术语，读者会发现它们非常有用。
为满足工程认证的要求，正文中的一些章节包括更多附加内容，通常会给出正文之外的具体细节，如量子力学和更多的数学。电子材料与器件（第四版）尽可能避免交叉引用以免过多重复，同时，针对不同学时的教学安排，读者也可根据需要跳过一些章节。
电子材料与器件（第四版）特色：
1. 对一些原理性的介绍，侧重其物理概念，而少作数学推理。量子力学是本课程的内容，但没有列出其深奥的数学形式。
2. 书中有大量实例和思考题，其中大部分具有实际意义。读者可以通过实例和思考题进行学习。
3. 即使简单的概念也有例子以便学习。
4. 大多数学生希望有清晰的图表来帮助他们可视化地理解概念。电子材料与器件（第四版）包括565幅插图，这些插图都是经
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| 內容簡介： |
电子材料与器件（第四版）可作为“电子材料和器件”课程的教材，也适用于电气工程和电子材料类专业研究生的入门课程。第四版是在第三版的基础上，参考了大量的反馈意见以及电子与光电子材料过去10年发展进程，广泛修订和扩展而成。扩展了许多新的主题，增加了新的案例、图表和思考题，并提供了解决问题的方法，将这些概念应用到应用中。此外，术语表中增加了更多的术语，读者会发现它们非常有用。
为满足工程认证的要求，正文中的一些章节包括更多附加内容，通常会给出正文之外的具体细节，如量子力学和更多的数学。电子材料与器件（第四版）尽可能避免交叉引用以免过多重复，同时，针对不同学时的教学安排，读者也可根据需要跳过一些章节。
电子材料与器件（第四版）特色：
1. 对一些原理性的介绍，侧重其物理概念，而少作数学推理。量子力学是本课程的内容，但没有列出其深奥的数学形式。
2. 书中有大量实例和思考题，其中大部分具有实际意义。读者可以通过实例和思考题进行学习。
3. 即使简单的概念也有例子以便学习。
4. 大多数学生希望有清晰的图表来帮助他们可视化地理解概念。电子材料与器件（第四版）包括565幅插图，这些插图都是经心准备的，以反映概念并有助于文中的解释，也有许多实际设备和科学家与工程师的照片，以增强学习体验。
5. 每章后面的思考题（共346题）是渐进式的，从容易的概念开始，最终引出更复杂的概念，难点问题用星号（*）标识，许多带图表的实际应用也包含在内。
6. 每章后面有一个术语表，定义的概念和术语不仅用于正文中，而且应用于思考题中。
7. 每章的结尾包含一节附加内容，以进一步介绍重要的概念，提出有趣的应用或证明一个定理。这些内容是为那些学有余力的学生准备的，可以作为两学期课程的一部分。
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| 目錄：
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简 要 目 录
第1章材料科学基本概念1
第2章固体中的电传导和热传导123
第3章电子材料和器件原理211
第4章现代固体理论311
第5章半导体409
第6章半导体器件525
第7章介电材料与绝缘657
第8章磁性和超导电性765
第9章材料的光学特性857
附录A布拉格衍射定律和X射线衍射939
附录B主要符号和缩略语945
附录C元素性质表953
附录D常数及可用信息957
元素周期表959
目录
目录
目录
第1章材料科学基本概念1
1.1原子结构和原子序数1
1.2原子质量和摩尔6
1.3键合和固体类型7
1.3.1分子和一般键合原理7
1.3.2共价键合固体： 金刚石9
1.3.3金属键合： 铜11
1.3.4离子键合固体： 盐12
1.3.5二次键合16
1.3.6混合键合20
1.4动力学分子理论23
1.4.1平均动能和温度23
1.4.2热膨胀30
1.5分子速度和能量分布35
1.6分子碰撞与真空沉积39
1.7热、热波动和噪声43
1.8热激活过程48
1.8.1阿列纽斯速率方程48
1.8.2原子扩散和扩散系数50
1.9结晶状态53
1.9.1晶体结构53
1.9.2晶向和晶面59
1.9.3同素异形体和碳64
1.10晶体缺陷及其意义67
1.10.1点缺陷： 空位和杂质67
1.10.2线缺陷： 边缘和螺旋错位71
1.10.3面缺陷： 晶界75
1.10.4晶体表面和表面性质77
1.10.5化学计量法、非化学计量法和缺陷结构80
1.11单晶Czochralski生长80
1.12玻璃和非晶半导体83
1.12.1玻璃和无定形固体83
1.12.2晶体硅和非晶硅86
1.13固体溶液和两相固体88
1.13.1同晶固溶体： 同晶合金88
1.13.2相图： 铜镍等同晶合金89
1.13.3区域精炼和纯硅晶体93
1.13.4二元共晶相图和铅锡焊料95
附加主题100
1.14布拉维晶格100
1.15Grneisen规则103
第2章固体中的电传导和热传导123
2.1经典理论： 德鲁德模型124
2.2电阻率的温度依赖性： 理想的纯金属132
2.3Matthiessen和Nordheim法则135
2.3.1Matthiessen法则和电阻率温度系数（）135
2.3.2固溶体和Nordheim法则143
2.4混合物和多孔材料的电阻率150
2.4.1异质混合物150
2.4.2两相合金（AgNi）的电阻率和电触点154
2.5霍尔效应和霍尔器件155
2.6热传导160
2.6.1热导系数160
2.6.2热阻164
2.7非金属物的导电性165
2.7.1半导体166
2.7.2离子晶体和玻璃170
附加主题175
2.8趋肤效应： 导体的高频电阻175
2.9交流电导率ac178
2.10金属薄膜182
2.10.1金属薄膜的导电性182
2.10.2薄膜的电阻率182
2.11微电子学中的互连188
2.12电迁移和Black方程192
第3章电子材料和器件原理211
3.1光子211
3.1.1光的波动性211
3.1.2光电效应214
3.1.3康普顿散射219
3.1.4黑体辐射222
3.2电子的波动性225
3.2.1德布罗意关系225
3.2.2时间无关的薛定谔方程229
3.3无限势阱中的受限电子233
3.4海森堡的不确定性原理239
3.5有限势阱中的受限电子242
3.6隧道现象： 量子泄漏246
3.7位阱： 三个量子数252
3.8氢原子255
3.8.1电子波函数255
3.8.2量子化的电子能量260
3.8.3轨道角动量和空间量子化264
3.8.4电子自旋和内在的角动量S269
3.8.5电子的磁偶极矩271
3.8.6总角动量J275
3.9氦原子和周期表276
3.9.1氦原子和泡利不相容原则276
3.9.2亨德准则279
3.10受激发射和激光281
3.10.1受激发射和光子放大281
3.10.2氦氖激光器285
3.10.3激光输出光谱288
附加主题290
3.11光纤放大器290
第4章现代固体理论311
4.1氢分子： 键合的分子轨道理论311
4.2固体能带理论317
4.2.1能带形成317
4.2.2能带中电子的性质323
4.3半导体326
4.4电子有效质量332
4.5能带中的状态密度334
4.6统计： 粒子集合341
4.6.1玻尔兹曼古典统计341
4.6.2费米狄拉克统计342
4.7金属的量子理论344
4.7.1自由电子模型344
4.7.2金属导电性347
4.8费米能级的意义350
4.8.1金属金属接触： 接触电势350
4.8.2塞贝克效应和热电偶353
4.9热离子发射和真空管器件362
4.9.1热离子发射： RichardsonDushman方程362
4.9.2肖特基效应和场发射366
4.10声子372
4.10.1谐振子和晶格波372
4.10.2德拜热容377
4.10.3非金属的导热性382
4.10.4电导率385
附加主题386
4.11金属能带理论： 晶体中的电子衍射386
第5章半导体409
5.1本征半导体410
5.1.1硅晶体和能带图410
5.1.2电子和空穴411
5.1.3半导体传导414
5.1.4电子和空穴浓度416
5.2非本征半导体424
5.2.1n型掺杂425
5.2.2p型掺杂427
5.2.3补偿掺杂428
5.3电导率的温度依赖性433
5.3.1载流子浓度的温度依赖性433
5.3.2漂移迁移率： 温度和杂质依赖性438
5.3.3电导率的温度依赖性441
5.3.4简并和非简并半导体443
5.4直接和间接复合445
5.5少数载流子寿命449
5.6扩散和传导方程以及随机运动455
5.7连续性方程461
5.7.1时间依赖的连续性方程461
5.7.2稳态连续性方程463
5.8光吸收467
5.9压阻471
5.10肖特基连接475
5.10.1肖特基二极管475
5.10.2肖特基结太阳能电池和光电二极管480
5.11欧姆接触和热电冷却器485
附加主题490
5.12塞贝克效应半导体和电压漂移490
5.13直接和间接带隙半导体493
5.14间接复合503
5.15非晶半导体503
第6章半导体器件525
6.1理想pn结526
6.1.1不施加偏置： 开路526
6.1.2正向偏置： 扩散区电流531
6.1.3正向偏置： 复合电流和总电流537
6.1.4反向偏置539
6.2pn结能带图546
6.2.1开路546
6.2.2正向和反向偏置548
6.3pn结的耗尽层电容551
6.4扩散区（存储区）电容和动态电阻557
6.5反向击穿： 雪崩击穿和齐纳击穿560
6.5.1雪崩击穿560
6.5.2齐纳击穿562
6.6发光二极管（LED）564
6.6.1LED原理564
6.6.2异质结高强度LED566
6.6.3量子阱高强度LED567
6.7LED材料和结构570
6.8LED输出光谱574
6.9LED的亮度和效率580
6.10太阳能电池584
6.10.1光电器件原理584
6.10.2串联和并联电阻591
6.10.3太阳能电池的材料、器件和效率593
6.11双极型晶体管（BJT）596
6.11.1共基极（CB）直流特性596
6.11.2共基极放大器605
6.11.3共发射极（CE）直流特性607
6.11.4低频小信号模型609
6.12结型场效应晶体管（JFET）612
6.12.1工作原理612
6.12.2JFET放大器618
6.13金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）622
6.13.1场效应和翻转622
6.13.2增强型MOSFET624
6.13.3阈值电压629
6.13.4离子注入型MOS晶体管和多晶硅栅631
附加主题633
6.14PIN二极管、光电二极管和太阳能电池633
6.15半导体光学放大器和激光636
第7章介电材料与绝缘657
7.1物质极化和相对介电常数658
7.1.1相对介电常数： 定义658
7.1.2偶极矩与电子极化659
7.1.3极化矢量P663
7.1.4局部电场Eloc与克劳修斯莫索蒂方程667
7.2电子极化： 共价固体669
7.3极化机理671
7.3.1离子位移极化671
7.3.2偶极转向极化672
7.3.3界面极化674
7.3.4总极化676
7.4频率依赖性： 介电常数和介电损耗677
7.4.1介电损耗677
7.4.2德拜方程、柯尔柯尔图和等效串联电路686
7.5高斯定律和边界条件689
7.6介电强度和绝缘击穿694
7.6.1介电强度： 定义694
7.6.2介质击穿和局部放电： 气体695
7.6.3介质击穿： 液体698
7.6.4介质击穿： 固体699
7.7电容介电材料708
7.7.1典型的电容器结构708
7.7.2电介质： 比较713
7.8压电，铁电和热释电717
7.8.1压电717
7.8.2压电： 石英振荡器和滤波器722
7.8.3铁电和热释电晶体725
附加主题732
7.9电位移和去极化场732
7.10局部场与洛仑兹方程736
7.11偶极极化738
7.12离子极化与介电共振740
7.13介质混合物和非均匀介质745
第8章磁性和超导电性765
8.1物质的磁化766
8.1.1磁偶极矩766
8.1.2原子磁矩767
8.1.3磁化矢量M768
8.1.4磁场或磁场强度H771
8.1.5磁导率和磁化率772
8.2磁性材料的分类776
8.2.1反磁性776
8.2.2顺磁性778
8.2.3铁磁性779
8.2.4反铁磁性779
8.2.5亚铁磁性780
8.3铁磁性来源与交换相互作用780
8.4饱和磁化和居里温度783
8.5磁畴： 铁磁材料785
8.5.1磁畴785
8.5.2磁晶体各向异性787
8.5.3畴壁788
8.5.4磁致伸缩791
8.5.5畴壁运动792
8.5.6多晶材料和M对H行为793
8.5.7退磁797
8.6软磁材料和硬磁材料799
8.6.1定义799
8.6.2初始磁导率和最大磁导率800
8.7软磁材料： 示例和用法801
8.8硬磁材料： 示例和用法804
8.9能带图和磁性810
8.9.1泡利自旋顺磁性810
8.9.2铁磁性能带模型812
8.10各向异性和巨磁电阻813
8.11磁记录材料818
8.11.1磁记录的一般原理818
8.11.2磁存储材料823
8.12超导电性827
8.12.1零电阻和迈斯纳效应827
8.12.2Ⅰ型和Ⅱ型超导体830
8.12.3临界电流密度832
8.13超导电性起源836
附加主题838
8.14约瑟夫森效应838
8.15通量的量化840
第9章材料的光学特性857
9.1均匀介质中的光波858
9.2折射率指数861
9.3分散性： 折射率指数波长行为863
9.4群速度和群指数868
9.5磁场： 辐射和坡印廷矢量871
9.6斯涅尔法则和全内反射（TIR）873
9.7菲涅尔方程877
9.7.1振幅的反射和透射系数877
9.7.2强度、反射率和透射率883
9.8复折射率和光吸收888
9.9晶格吸收896
9.10带间吸收898
9.11材料中的光散射901
9.12光导纤维中的衰减902
9.13发光、磷光和白光LED905
9.14极化910
9.15光学各向异性912
9.15.1单轴晶体和菲涅尔光学指标913
9.15.2方解石的双折射917
9.15.3二色性918
9.16双折射制动盘918
9.17光学活动和圆双折射920
9.18液晶显示器（LCD）922
9.19电光效应926
附录A布拉格衍射定律和X射线衍射939
附录B主要符号和缩略语945
附录C元素性质表953
附录D常数及可用信息957
元素周期表959
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| 內容試閱：
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前言
本教材可用于大学本科电子材料和器件专业的第一门课程。加上书中的附加主题，本书也可以用于电气工程师和材料研究人员的电子材料研究生入门课程。第四版是第三版的广泛修订和扩展版本，该修订与扩展是基于审稿人的意见以及电子与光电子材料过去10年的发展而作出的。第四版有许多新的和扩展的主题，新的例子、图表和思考题； 改进了大部分的图表，以使它们更清晰； 增加了大量新的思考题，并提供了许多解决问题的方法，将这些概念应用到实际中； 修改了超过50%的图表以提高清晰度。此外，在术语表中增加了更多的有实用性的术语。对书中多次提到的布拉格衍射定律，不熟悉的读者可以参阅附录A。
第四版是市场上少数几本涵盖了当今科学家和工程师所需的电子材料的书籍之一，我相信这次修订提高了严谨性，同时也没有牺牲师生们喜欢的半定量方法。系统性内容的主要修订可以归纳如下。
第1章： 热膨胀； 动力学分子理论； 原子扩散； 分子碰撞与真空沉积； 粒子通量密度； 线缺陷； 面缺陷； 晶体表面； Grneisen规则。
第2章： 电阻率的温度依赖性，应变计，霍尔效应； 离子导电； 漂移迁移率与扩散的爱因斯坦关系式； 交流电导率； 薄膜电阻率； 微电子互连； 电迁移。
第3章： 电子波动性； 无限势阱； 有限势阱中的受限电子； 受激发射与光子放大； 氦氖激光器，光纤放大。
第4章： 功函数； 光电效应； 二次发射； 电子亲和势与光倍增； 费米狄拉克统计； 金属导电性； 热电与塞贝克系数； 热电偶； 声子浓度随温度的变化。
第5章： 简并半导体； 直接和间接复合； 直接和间接带隙半导体的ek图； 肖特基结和耗尽层； 塞贝克效应半导体和电压漂移。
第6章： pn结； 直接带隙pn结； 耗尽层电容； 线性渐变结； 超突变结； 发光二极管（LED）； 量子阱高强度LED； 发光二极管材料与结构； LED的特性； LED光谱； 发光二极管的亮度和效率； 多结太阳能电池。
第7章： 原子极化率； 界面极化； 气体中的碰撞电离和击穿； 超级电容器。
第8章： 各向异性和巨磁电阻； 磁记录材料； 纵磁记录； 磁存储材料； 超导电性。
第9章： 硅的折射率和群指数； 介质反射镜； 自由载流子吸收； 液晶显示器。
内容组织与特点：
如第三版一样，在准备第四版时，我试图把常规论述以及各种证明保持在半定量的水平，而不关注具体的物理现象。为满足工程认证的要求给出了许多问题。正文中的一些章节有一些附加的主题，这些主题给出了更详细的论述，通常包括量子力学和更多的数学知识。书中尽可能避免交叉引用以免过多的重复，也便于读者根据需要跳过一些章节。本书的这些灵活性使得课程教学更容易。
本书具有以下重要的特点。
对一些原理性的介绍，侧重其物理概念，而少做数学推理。量子力学是本课程的内容，但没有列出其深奥的数学形式。
书中有大量处理过的实例和解答过的思考题（共227道），其中大部分具有实际意义。学生们可通过实例进行学习。
即使简单的概念也有例子，以便学习。
大多数学生希望有清晰的图表来帮助他们可视化解释和理解概念。本书包括565幅插图，这些插图都是精心准备的，以反映概念并有助于文中的解释，也有许多实际设备和科学家与工程师的照片，以增强学习体验。
每章后面的思考题（共346题）是渐进式的，从容易的概念开始，最终引出更复杂的概念，难点问题用星号（*）标识，许多带图表的实际应用也包含在内。
每章后面有一个术语表，定义的概念和术语不仅用于正文中，而且应用于思考题中。
每章的结尾包含一节附加的主题以进一步介绍重要的概念，提出有趣的应用或证明一个定理。这些主题是为那些学有余力的学生准备的，可以作为两学期课程的一部分。
本书得到了麦格劳希尔的教科书网站的支持，该网站包含了一些如问题解答之类的师生所需资源。
对于使用第四版作为教材的教师，本书还提供一套PowerPoint演示文稿，该演示文稿包含所有的彩色插图和附加的彩色照片。演示文稿中的基本概念和公式高亮显示。
针对所有教师提供有定期更新的在线扩展解决方案手册，该手册位于麦格劳希尔网站本教材的位置，该解决方案手册不仅提供了方案的详细解释，而且有彩色图表，以及参考和有用的笔记（也有文中那些为什么？思考题的答案）。
致谢
感谢我过去和现在的研究生和博士后研究员，他们让我保持警觉，并阅读了本书的各个章节。很幸运有Charbel Tannous（布雷斯特大学）这样的同事和朋友，他提出了许多尖锐的批评和有帮助的建议，特别是在第8章。我多年的好友兼同事Robert Johanson（萨斯喀彻温大学），与我共同教授这门课程，也对第四版提供了一些建议。许多审稿人，在不同的时间，阅读手稿的各个部分，并提供广泛的意见。许多教师也把他们的建议写信给我，我采纳了多数有益的建议。没有一本教材是完美的，我相信下一版将会有更多的建议和修正。我个人要感谢他们宝贵的意见。
我想感谢麦格劳希尔教育的Tina Bower（我现在的产品设计师）和Raghu Srinivasan（我以前的全球品牌经理），在本书的写作和制作过程中，他们不断地提供帮助，总是满怀热情、鼓励、宽容，（每次当我错过最后期限时）总能找到解决办法，这是我自1993年和MHE合作以来的真正伟大的经历。感谢Julie De Adder（照片事务），他勤奋地获得了在第四版中没有任何遗漏的第三方照片许可权。本书及其PowerPoint中的照片的版权费（大多数情况下很昂贵的）已经支付给版权所有者，没有版权所有者的许可，这些照片不得复制到其他出版物中。如果你是一名教师，喜欢这本书，并且想看第五版（也许是一个彩色版本），最好的意见和建议不是写信给我，而是直接写给麦格劳希尔教育的电气工程编辑，地址是501 Bell St., Dubuque, IA 52001, USA。
欢迎教师和学生把你们的意见发电子邮件给我，虽然我不能回复每一封邮件，但我确实读了所有的邮件并做了记录，正是这些意见促成了本版内容的重大修订。
Safa Kasap
Saskatoon, March, 2017
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