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| 編輯推薦： |
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本书是作者近年来在对低维纳米材料的电子结构、磁特性以及自旋轨道耦合效应研究的基础上撰写而成，系统地介绍了二维III-VI族化合物的自旋相关特性。全书共分7章，主要内容包括：相关材料的研究背景及理论方法，二维NIIIXVI (N=Ga， In; X=S， Se， Te)单层Rashba自旋劈裂的电场调控，极性XABY (A， B = Ga， In; X≠Y = S， Se， Te)中显著的Rashba自旋劈裂，II型Sb/InSe范德华异质结中Rashba自旋劈裂的偶极子控制，InSe/MTe2 (M = Pd， Pt)范德华异质结的可调谐电子、光学和自旋电子特性及InTe/PtSe2异质结中Rashba自旋劈裂效应。本书可供低维材料相关领域的科研技术人员学习使用，也可供高等院校相关专业师生参考。
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| 內容簡介： |
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本书是作者近年来在对低维纳米材料的电子结构、磁特性以及自旋轨道耦合效应的研究基础上撰写而成的，系统地介绍了二维ⅢⅥ族化合物的自旋相关特性。全书共分七章，前两章介绍了相关材料的研究背景及理论方法，第3章介绍了二维NⅢXⅥ(N＝Ga，In；X＝S，Se，Te)单层Rashba自旋劈裂的电场调控，第4章介绍了极性XABY(A，B＝Ga，In；X≠Y＝S，Se，Te)中显著的Rashba自旋劈裂，第5章介绍了Ⅱ型Sb/InSe范德华异质结中Rashba自旋劈裂的偶极子控制，第6章介绍了InSe/MTe2(M＝Pd，Pt)范德华异质结的可调谐电子、光学和自旋电子特性，第7章介绍了InTe/PtSe2异质结中Rashba自旋劈裂效应。本书可供低维材料相关领域以及从事自旋电子学研究的科技工作者参考，也可作为高等院校相关专业的本科生和研究生的参考书。
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| 目錄：
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第1章绪论
1.1自旋电子学的发展2
1.2自旋轨道耦合作用5
1.3二维材料8
1.3.1石墨烯的基本特性8
1.3.2过渡金属硫属化合物的基本特性9
1.3.3Ⅲ-Ⅵ族硫属化合物的基本特性11
参考文献15
第2章理论方法
2.1能带理论的三大近似21
2.1.1绝热近似21
2.1.2单电子近似与密度泛函理论23
2.1.3布洛赫定理28
2.2势与波函数的处理31
2.2.1平面波方法32
2.2.2原子轨道线性组合法34
2.2.3赝势方法35
2.2.4投影缀加波法37
2.3Kohn-Sham方程的自洽求解40
参考文献41
第3章二维NⅢXⅥ （N=Ga，In；X=S，Se，Te）单层Rashba自旋劈裂的电场调控
3.1概述47
3.2计算方法和模型50
3.3结果和讨论52
参考文献61
第4章极性XABY（A，B=Ga，In；X≠Y=S，Se，Te）中显著的Rashba自旋劈裂
4.1概述69
4.2计算方法与模型72
4.3结果与讨论75
参考文献87
第5章Ⅱ型Sb/InSe范德华异质结中Rashba自旋劈裂的偶极子控制
5.1概述95
5.2计算方法98
5.3结果和讨论99
5.3.1几何结构99
5.3.2电子特性101
5.3.3自旋电子特性106
参考文献113
第6章InSe/MTe2 (M=Pd，Pt)范德华异质结的可调谐电子、光学和自旋电子特性
6.1概述123
6.2计算方法125
6.3结果和讨论126
6.3.1几何结构和电子特性126
6.3.2光学特性135
6.3.3自旋电子特性135
参考文献139
第7章InTe/PtSe2异质结中Rashba自旋劈裂效应
7.1概述147
7.2计算方法149
7.3结果和讨论150
7.3.1异质结的构建150
7.3.2外界调控对异质结Rashba自旋劈裂的影响150
参考文献156
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| 內容試閱：
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低维材料体系中自旋轨道耦合效应的研究已经成为当前研究的热点领域。这类体系中奇异的物理化学性质，使其在自旋电子学方面有广阔的应用前景。而理解产生这些性质的微观机制，不仅对当前自旋电子学的应用有重要价值，对整个物理化学的许多相关领域的发展都能起到极大的推动作用。
信息技术的发展包括以电荷自由度为基础的微纳电子技术和以自旋自由度为基础的量子信息调控技术。随着电子器件体积逐渐减小到纳米尺度，热耗散、量子效应等问题日益严重，传统的微纳电子技术已经接近技术极限。而自旋电子器件拥有高速、高密、低能耗的优点，因此在下一代电子器件中有较好的应用前景。
Rashba自旋轨道耦合是自旋电子器件中能够实现电控磁性的一个重要物理机制。本书系统研究了二维ⅢⅥ族化合物及其异质结的Rashba自旋劈裂，通过外加电场及施加应力等方式对其进行调控，给出其Rashba自旋劈裂的物理、化学机制，研究结果对于新一代高性能、高密度的自旋电子器件的制备具有重要的理论指导意义。
本书首先介绍了相关材料的研究背景及理论方法，然后介绍了近期的研究成果。主要包括二维NⅢXⅥ(N＝Ga，In；X＝S，Se，Te)单层、极性XABY(A，B＝Ga，In；X≠Y＝S，Se，Te)材料体系中的Rashba自旋劈裂，以及二维ⅢⅥ族化合物所构成范德华异质结的自旋劈裂效应。
本书的相关研究和分析工作得到了河南科技大学的大力支持，本书的出版得到了国家自然科学基金(61874160)、河南省自然科学基金(202300410125)、河南省高校科技创新团队支持计划(22IRTSTHN012)的资助，在此深表感谢。
本书在撰写过程中参考的相关文献，已在每章后列出，在此，对相关学者表示衷心的感谢。由于作者水平有限，书中难免存在疏漏之处，敬请批评指正。
琚伟伟
2022年春于河南科技大学
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